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结果表明，充电车无论异质界面的相对堆垛方向如何，MoS2对石墨的吸引力总是大于BN。本文由材料人纳米组大兵哥供稿，饱电材料牛整理编辑。黑线是高斯拟合，动汽采样间隔为Δx=0.25nN。

质量抓让桩（b）随机相位近似方法计算得体块vdW晶体的介电函数虚部;（c）5nm石墨-5nmBN和5nm石墨-5nmMoS2薄膜异质结单位面积层间力关于层间位移的函数。从理论上讲，数量虽然密度泛函理论中已经引入了多种vdW方法来研究同质vdW晶体之间的相互作用，但这些方法在二维异质结构中的可靠性仍有待验证。

图五：两手MoS2逐片剥离石墨-BN-石墨异质结构实验表明，与BN相比，MoS2更容易吸附石墨。

（b）原始石墨-BN-石墨叠层（左）的光学图像，充电车其顶部石墨首先被移除（中间），然后移除BN薄片（右）。饱电1987年江雷从吉林大学固体物理专业毕业后留在本校化学系物理化学专业就读硕士。

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